Specialörite gazlarumumylykda tapawutlanýarsenagat gazlaryýöriteleşdirilen ulanylyşy bar we belli bir ugurlarda ulanylýar. Arassalygy, haramlygy, düzümi we fiziki we himiki aýratynlyklary üçin aýratyn talaplar bar. Senagat gazlary bilen deňeşdirilende, ýörite gazlar dürli-dürli, ýöne has az önümçilik we satuw mukdary bar.

Thegarylan gazlarweadaty kalibrleme gazlaryköplenç ýöriteleşdirilen gazlaryň möhüm bölekleridir. Garyşyk gazlar, adatça, umumy garylan gazlara we elektron garyşyk gazlara bölünýär.

Umumy garyşyk gazlar:lazer garylan gaz, gurallary kesgitlemek garyşyk gaz, kebşirlenen garyşyk gaz, konserwasiýa garyndy gazy, elektrik yşyk çeşmesi garyşyk gaz, lukmançylyk we biologiki gözleg garyşyk gaz, dezinfeksiýa we sterilizasiýa garyndy gazy, gural duýduryşy garyşyk gaz, ýokary basyşly garyşyk gaz we nol derejeli howa.

Elektron gaz garyndylaryna epitaksial gaz garyndylary, himiki bug çökdürýän gaz garyndylary, doping gaz garyndylary, gaz garyndylary we beýleki elektron gaz garyndylary girýär. Bu gaz garyndylary ýarymgeçiriji we mikroelektronika pudaklarynda aýrylmaz rol oýnaýar we uly göwrümli integral zynjyrda (LSI) we örän uly göwrümli integral zynjyrda (VLSI) önümçilikde, şeýle hem ýarymgeçiriji enjam öndürmekde giňden ulanylýar.

Elektron garyşyk gazlaryň 5 görnüşi iň köp ulanylýar

Garylan gazy doping

Ondarymgeçiriji enjamlar we integral zynjyrlar öndürilende, islenýän geçirijiligi we garşylygy üpjün etmek üçin ýarymgeçiriji materiallara belli bir hapalar girizilýär, rezistorlar, PN birikmeleri, gömülen gatlaklar we beýleki materiallar öndürilýär. Doping prosesinde ulanylýan gazlara dopant gazlary diýilýär. Bu gazlara esasan arsin, fosfin, fosfor triflorid, fosfor pentaflorid, arsen triflorid, arsen pentaflorid,bor trifloridwe diborane. Dopant çeşmesi, adatça, çeşme şkafynda daşaýjy gaz (argon we azot ýaly) bilen garylýar. Soňra garylan gaz diffuziýa peçine yzygiderli sanjym edilýär we wafli töwereginde aýlanýar we dopanty wafli üstünde goýýar. Soňra dopant kremniý bilen reaksiýa berip, kremniniň içine geçýän dopant metal emele getirýär.

Epitaksial ösüş gaz garyndysy

Epitaksial ösüş, ýekeje kristal materialy substratyň üstünde goýmak we ösdürmekdir. Ondarymgeçiriji pudagynda seresaplylyk bilen saýlanan substratda himiki bug çöketligini (CVD) ulanyp, bir ýa-da birnäçe gatlak materialy ösdürip ýetişdirmek üçin ulanylýan gazlara epitaksial gazlar diýilýär. Adaty kremniniň epitaksial gazlary dihidrogen dihlorosilany, kremniý tetrahloridi we silany öz içine alýar. Olar, esasan, epitaksial kremniniň çökdürilmegi, polikristally kremniniň çökdürilmegi, kremniniň oksidi filminiň çökdürilmegi, kremniniň nitrid filminiň çökdürilmegi we gün öýjükleri we beýleki fotosensiw enjamlar üçin amorf kremniniň film çökdürilmegi üçin ulanylýar.

Ion implantasiýa gazy

Ondarymgeçiriji enjamda we toplumlaýyn zynjyr önümçiliginde, ion implantasiýa prosesinde ulanylýan gazlara bilelikde ion implantasiýa gazlary diýilýär. Ionlaşdyrylan hapalar (bor, fosfor we arsen ionlary ýaly) substrata goýulmazdan ozal ýokary energiýa derejesine çenli tizlenýär. Ion implantasiýa tehnologiýasy, çäk naprýa .eniýesini dolandyrmak üçin iň giňden ulanylýar. Implantirlenen hapalaryň mukdary ion şöhlesiniň tokyny ölçemek arkaly kesgitlenip bilner. Ion implantasiýa gazlaryna adatça fosfor, arsen we bor gazlary girýär.

Garylan gaz

Dökmek, fotorezist tarapyndan maskalanmadyk substratda gaýtadan işlenen ýüzüni (metal plyonka, kremniniň oksidi filmi we ş.m.) ýok etmek prosesi, şol bir wagtyň özünde fotorezist tarapyndan maskalanan meýdany gorap saklamak, substratyň üstünde gerekli şekillendiriş nusgasyny almak.

Himiki bug çöketligi gaz garyndysy

Himiki bug çöketligi (CVD) üýtgäp durýan birleşmeleri bug fazasy himiki reaksiýa arkaly bir madda ýa-da birleşme goýmak üçin ulanýar. Bu bug fazaly himiki reaksiýalary ulanýan film döredýän usul. Ulanylýan CVD gazlary, emele gelýän filmiň görnüşine baglylykda üýtgeýär.