Gowy hilli Hytaý Oktafluorosiklobutan ýa-da Perfluorosiklobutan, C4f8, RC-318.

Örän köp taslamalary dolandyrmak tejribesi we 1-den diňe bir üpjün ediji modeli kompaniýa aragatnaşygynyň has möhümdigini we gowy hilli Hytaý Oktafluorosiklobutan ýa-da Perfluorosiklobutan, C4f8, RC-318-e garaşýanlaryňyza aňsat düşünmegimizi üpjün edýär. bu pudak bilen tejribe we önüm satuwymyz ökde. Önümleriňiziň şertlerini ýerine ýetirmek üçin size iň tejribeli strategiýalaryň biri bilen üpjün ederis. Islendik kynçylyk, başymyza gelýär!
Örän köp taslamalary dolandyrmak tejribesi we 1-den diňe bir üpjün ediji modeli kompaniýa aragatnaşygynyň has möhümdigini we garaşýan zatlaryňyza aňsat düşünmegimizi üpjün edýärHytaý sowadyjy gaz, Gaz, Biziň kompaniýamyz “bitewilige esaslanan, döredilen hyzmatdaşlyga, adamlara gönükdirilen, ýeňiş gazanýan hyzmatdaşlyk” ýörelgesi boýunça işleýär. Dünýäniň dürli künjeginden gelen telekeçi bilen dostlukly gatnaşykda bolup bileris diýip umyt edýäris.

Tehniki parametrler

Oktaflorosiklobutan himiki maddadyr, siklobutanyň perflorirlenen önümidir we himiki formulasy C4F8. Reňksiz, yssyz, ýanmaýan gaz. Tebigatda durnukly we zäherli däl. Heatylylyk ýokary bolsa, gapyň içki basyşy ýokarlanar we ýarylmak we partlamak howpy bolar. Usangyç (dargamak) önümi wodorod florididir. Oktaflorosiklobutan gaty durnukly we adaty şertlerde beýleki maddalar bilen reaksiýa bermeýär. Saklaýyş we reaksiýa gämisi 120 ° C-de çoýun we poslamaýan polatdan, polat 175 ° C-de ulanylyp bilner. 400 ° C-den geçende, nikel we platina ýaly Inconel materiallary hem birneme zaýalanmagy mümkin. 500 ° C-de bu materiallar çüýremegine katalitik täsir edýär. Okary temperaturada (600 ° C) oktafluorosiklobutan uglerod, uglerod tetraflorid we zäherli birleşmelere bölünip biler. “Octafluorocyclobutane” programmalarynyň örän giň görnüşi bar. Soňky ýyllarda gadagan edilen hloroflorokarbon birleşmelerini çalyşmak üçin sowadyjy hökmünde giňden ulanyldy. Mundan başga-da, adatça gaz izolýasiýa serişdesinde, erginlerde, spreýlerde, köpükleýji serişdelerde we uly göwrümli zynjyrlarda ulanylýar. , C2F4 we C3F6 monomerlerini öndürmek üçin işleýän nasos işleýän suwuklyk we çig mal. Vokary arassa oktafluorosiklobutan (5N-den ýokary) VLSI zynjyrlary arassalaýjy we arassalaýjy serişde hökmünde ulanylýar. Durnukly häsiýetleri, zäherlenmezligi, ozonyň ýok bolmagy mümkinçiligi (ODP) we gowy izolýasiýa sebäpli oktafluorosiklobutan soňky ýyllarda ýokary woltly izolýasiýa, arassalamak we efirlemek we plazma bejergisi ýaly tehniki ugurlarda giňden ulanyldy. Syzdyrmalara gyssagly garşylyk: öz-özünden dem alýan enjamlary we iş eşiklerini geýiň. Gaz çeşmesini kesiň. Howalandyryş we konweksiýa, eritme we diffuziýa. Syzýan konteýni açyk meýdana geçiriň we howa çalşygyna üns beriň. Syzýan gaplar indi ulanylyp bilinmez we galan gazy aýyrmak üçin tehniki bejergiden geçmeli.

Arza:

① Azyk senagaty:

esasan azyk senagatynda, sowadyjyda pürküji serişdesi hökmünde ulanylýar.

Ronic Elektron senagaty:

integral zynjyr üçin jadylaýjy, sf6 bilen dielektrik garyndy we ftorly birleşme üçin polimerizasiýa kömegi hökmünde hem ulanyldy.

Adaty paket:

Üstünligi:

The Bazarda on ýyldan gowrak;

②ISO şahadatnama öndürijisi;

Ast Çalt eltip bermek;

Able Çig mal çeşmesi;

Every Her ädimde hil gözegçiligi üçin bir setir derňew ulgamy;

Sil Silindri doldurmazdan ozal işlemek üçin ýokary talap we oýlanyşykly amal;Örän köp taslamalary dolandyrmak tejribesi we 1-den diňe bir üpjün ediji modeli kompaniýa aragatnaşygynyň has möhümdigini we gowy hilli Hytaý Oktafluorosiklobutan ýa-da Perfluorosiklobutan, C4f8, RC-318-e garaşýanlaryňyza aňsat düşünmegimizi üpjün edýär. bu pudak bilen tejribe we önüm satuwymyz ökde. Önümleriňiziň şertlerini ýerine ýetirmek üçin size iň tejribeli strategiýalaryň biri bilen üpjün ederis. Islendik kynçylyk, başymyza gelýär!
Gowy hilHytaý sowadyjy gaz, Gaz, Biziň kompaniýamyz “bitewilige esaslanan, döredilen hyzmatdaşlyga, adamlara gönükdirilen, ýeňiş gazanýan hyzmatdaşlyk” ýörelgesi boýunça işleýär. Dünýäniň dürli künjeginden gelen telekeçi bilen dostlukly gatnaşykda bolup bileris diýip umyt edýäris.